Au納米線陣列修飾電極的制備與水中痕量鉛離子的檢測(cè).pdf

1、Au納米線陣列修飾電極的制備與水中痕量鉛離子的檢測(cè)納米線陣列修飾電極的制備與水中痕量鉛離子的檢測(cè)FabricationofAuNanowireArrayfAnodicStrippingVoltammetryDeterminationofTracePb2作者姓名張鵬杰學(xué)位類(lèi)型學(xué)歷碩士學(xué)科專(zhuān)業(yè)化學(xué)工程研究方向材料化學(xué)工程導(dǎo)師及職稱(chēng)吳玉程教授2013年2月I獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)

2、我所知，除了文中特別加以標(biāo)志和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包含為獲得合肥工業(yè)大學(xué)或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽字：張鵬杰簽字日期：2013年4月20日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解合肥工業(yè)大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許論文被