HL-2A裝置中有效電荷數(shù)的光譜診斷研究.pdf

1、托卡馬克裝置中，有效電荷數(shù)Zeff的精確大小非常重要，因為它與軔致輻射損失、等離子體環(huán)電壓、中子產(chǎn)額和聚變功率等有著密切關(guān)系。有效電荷數(shù)的測定依賴于相關(guān)等離子體參數(shù)的準確測量。本論文主要利用西南物理研究院HL-2A裝置上光譜組與可見軔致輻射診斷相關(guān)的放電實驗得到的精確參數(shù)值，對在不同放電位形下的Zeff及其徑向分布和不同加熱方式對Zeff的影響這兩方面進行研究。
　　論文介紹了HL-2A上多道可見軔致輻射診斷系統(tǒng)和電荷交換復(fù)合光譜

2、(CXRS)診斷系統(tǒng)，闡述了有效電荷數(shù)的光譜診斷原理和數(shù)據(jù)處理方法，憑借以上系統(tǒng)測量出的可靠光譜數(shù)據(jù)，運用Matlab軟件編程對數(shù)據(jù)進行處理和分析。對比分析不同放電位形，得出不同的有效電荷數(shù)徑向分布及Zeff與電子密度ne的依賴關(guān)系，并且在偏濾器位形時有效電荷數(shù)比孔欄位形時小約50％。此外，還統(tǒng)計分析了2010年春季實驗的有效放電，顯示出偏濾器對雜質(zhì)的抑制作用。分析了不同的等離子體加熱方式，電子回旋加熱（ECRH）期間有效電荷數(shù)明顯升高