2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩62頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD)以其導通電阻低,開關特性好等優(yōu)勢在功率系統中展現出巨大的應用潛力。
  基于高 k介質場板終端的4H-SiC SBD的二維仿真,設計并制備了采用半絕緣多晶硅(SIPOS)作為場板介質的4H-SiC場板終端 SBD(FP_SBD)。所制備的1mm24H-SiC SBD比導通電阻為5.87mΩ?cm2,3.6V時電流達到4A。反向擊穿電壓為1200V,達到理論值的70%。實驗結果證實長度大于20

2、μm的 SIPOS場板終端能較好的發(fā)揮作用。并通過對二次鈍化前后的器件擊穿電壓進行測試說明聚酰亞胺(PI)能夠有效的提高器件的擊穿電壓。
  設計了帶有 JTE終端的4H-SiC SBD器件。從仿真角度說明減少離子注入次數(最少為一次注入)可以與多次離子注入(形成類似盒狀分布)達到同樣的效果,并且可以有效減小注入損傷,降低擊穿電壓對注入濃度的敏感度和降低注入能量。根據仿真結果制定了4H-SiC JTE SBD的實驗方案,設計了實驗

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論