2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、硅微通道在微光夜視，光電倍增管，X-射線增強器等領域中得到廣泛應用。為了滿足微通道板電子倍增器件的要求，需要使用熱氧化的方法在微通道內(nèi)部產(chǎn)生一層起電絕緣作用的二氧化硅，二氧化硅薄膜層具有高擊穿電壓，可滿足電子倍增器對高壓的要求。所以在氧化過程中要找到合適的參數(shù)值和制備工藝，使得二氧化硅絕緣層的厚度、擊穿電壓滿足要求。本文主要針對在制備二氧化硅薄膜過程中的氧化絕緣和熱應力問題進行實驗，實驗分別對硅微通道陣列在干氧氧化8小時和濕氧氧化8小時

2、，制得的干氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為458nm和制得濕氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為1.4μm。并且在48小時濕氧氧化條件下，制的二氧化硅絕緣層擊穿電壓大于1000V。
　　通過ANSYS軟件模擬分析硅微通道陣列上二氧化硅絕緣層應力分布主要區(qū)域。熱應力較大的區(qū)域分布在硅片Si-SiO2界面處，選用模擬條件1100℃氧化溫度硅微通道進行模擬分析，得出熱應力最大值為420.639MPa。并通過退火制備出表面擊穿電壓分布均勻的二氧化硅絕緣層

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