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1、本文進(jìn)行的工作是在硅微通道結(jié)構(gòu)釋放技術(shù)方面,以不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的TMAH溶液對硅背部進(jìn)行腐蝕,從實(shí)驗(yàn)結(jié)果中分析了不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的TMAH溶液中硅的腐蝕速率以及不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的TMAH溶液中硅腐蝕后的表面平整度,從而證明了用濕法腐蝕技術(shù)進(jìn)行硅微通道背部減薄是可行的,腐蝕速率也是比較容易控制的;在不同質(zhì)量百分比的TMAH溶液中,結(jié)構(gòu)釋放后硅表面的平整度也是不同的。在硅微通道整形技術(shù)方面,通過設(shè)計(jì)特殊的光刻掩模板從而鎖定硅表面的特定區(qū)域,用臺階儀測量
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