相變存儲器單元電壓和電流激勵下特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、相比于其他非易失性存儲器,高密度、低功耗和高速擦寫是相變存儲器的主要特點(diǎn)。對相變存儲器進(jìn)行測試是了解其特性的有效方法,在相變存儲器的測試中,常使用電壓或者電流來測量其特征參數(shù)。然而,在實(shí)驗(yàn)過程中,測量某些參數(shù)時由于電壓和電流的選擇不當(dāng)常常導(dǎo)致特征參數(shù)測量不準(zhǔn)確,甚至損壞器件。因此分析相變存儲器測試時使用電流和電壓激勵的差異更有利于研究PCRAM的特性。
  本論文主要研究電壓和電流激勵下相變存儲器的特性。介紹了利用4200-SCS

2、半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng),示波器和具有選址功能的芯片外圍測試電路板所組成的相變存儲器測試系統(tǒng),以及相變存儲器的各種建模方法。利用相變存儲器的HSPICE模型結(jié)合仿真控制程序?qū)崿F(xiàn)PCRAM在連續(xù)擦寫測試中的熱量累積仿真。根據(jù)相變存儲器的特性,利用4200-SCS的4205-PG2脈沖發(fā)生模塊和AD9665激光二極管驅(qū)動芯片搭建脈沖幅值和脈沖寬度可調(diào)的脈沖電流源,以實(shí)現(xiàn)對相變存儲器的電流測試。
  使用相變存儲器的電學(xué)模型和實(shí)驗(yàn)研究相變單元

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