非對(duì)稱相變存儲(chǔ)器單元制備工藝及性能研究.pdf

1、相變存儲(chǔ)器PCRAM(phasechangerandomaccessmemory)是一種以硫系化合物為存儲(chǔ)介質(zhì)的隨機(jī)存儲(chǔ)器。其利用電能使材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互變換實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除。相比現(xiàn)存的其他類型存儲(chǔ)器,相變存儲(chǔ)器具有非易失性、循環(huán)壽命長(zhǎng)、元件尺寸小、功耗低、多級(jí)存儲(chǔ)特點(diǎn),在數(shù)據(jù)讀寫速度﹑可擦寫次數(shù)﹑讀取方式﹑工作電壓以及工藝兼容性等各項(xiàng)性能指標(biāo)上有著獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。基于其各方面優(yōu)勢(shì),相變存儲(chǔ)器被認(rèn)為是下一代存儲(chǔ)器的主流產(chǎn)品。

2、r>　　PCRAM的研究過程中遇到的最大問題便是操作電流過大。為了改善寫信息脈沖電流過高制約相變隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)用化的狀況,本文在運(yùn)用有限元分析軟件ANSYS模擬計(jì)算和對(duì)比了傳統(tǒng)T型結(jié)構(gòu)和非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的熱學(xué)性能和電學(xué)性能之后,得到非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的寫電流要優(yōu)于前者的結(jié)論。在此基礎(chǔ)上本文設(shè)計(jì)相變存儲(chǔ)器五層非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的基本單元,運(yùn)用光刻、濺射以及剝離等工藝實(shí)現(xiàn)了器件單元的制備。
　　測(cè)試結(jié)果表明,采用光刻、濺射以及剝離等工藝制備的相變存儲(chǔ)器五層非