相變存儲器測試方法及測試系統(tǒng)的研究.pdf

1、相變存儲器是利用脈沖電流的熱效應(yīng)使其記錄層發(fā)生具有巨大阻值差異的可逆結(jié)構(gòu)相變來記錄和擦除數(shù)據(jù)。它具有非易失性、快擦寫速度、高可靠性、低功耗、長壽命、制作工藝簡單和與CMOS工藝兼容等優(yōu)點，被視作為目前最有可能成為下一代存儲器的主流產(chǎn)品。近幾年相變存儲器在記錄材料、微制造工藝和器件性能上取得了迅猛的發(fā)展，然而關(guān)于相變存儲器的測試技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)卻沒有得到足夠的重視，目前國內(nèi)外也沒有一個完整的相變存儲器測試方法。
　　 本文著重全面描述和

2、比較相變存儲單元的基本電性能表征和測試方法，并詳細地闡述測試系統(tǒng)的搭建、相變存儲芯片的封裝技術(shù)以及芯片功能測試等內(nèi)容。表征相變存儲器單元電特性的主要參數(shù)包括晶態(tài)電阻、非晶態(tài)電阻、直流I-V特性、脈沖I-V特性、寫脈沖與非晶化程度的關(guān)系、擦脈沖與晶化程度的關(guān)系、數(shù)據(jù)保持力以及擦寫壽命等。選擇高性能的探針臺、半導(dǎo)體參數(shù)測試儀、高頻示波器和DUT等配置搭建一個多功能的高精度的相變存儲單元電性能測試系統(tǒng)，實現(xiàn)對上述表征參數(shù)的測量與分析，并分析了