相變存儲器存儲單元結(jié)構(gòu)與工藝研究.pdf

1、微處理器的速度按摩爾定律向前推進，也要求計算機體系中的重要組成部分——存儲器的性能高速發(fā)展與之匹配。目前主流半導(dǎo)體存儲器均無法滿足人們對未來存儲產(chǎn)品的要求，探尋一種具有理想性能的非易失性的下一代存儲器是國內(nèi)外研究的熱點。相變存儲器（PCRAM）因具有密度高、壽命長、低功耗、擦寫速度快、擦寫次數(shù)高、抗輻射、可多級存儲、工藝簡單、成本低等顯著優(yōu)勢成為最具潛力的競爭者。
　　 近年來相變存儲器的研究取得了一些突破性的進展，但是仍有一些

2、阻礙其大規(guī)模產(chǎn)品化的問題亟待解決，其中最重要的問題是工作電流和芯片功耗較大。如何降低工作電流和芯片寫入功耗是當前國內(nèi)外研究的重點，也是本文重點探討解決的問題。
　　 本文設(shè)計一種相變存儲器功能芯片控制電路，該控制電路能實現(xiàn)相變存儲器的邏輯控制、譯碼、寫入、讀出及控制選擇等功能；從存儲單元器件結(jié)構(gòu)、材料性能、熱絕緣環(huán)境、器件尺寸大小等幾個方面研究了影響存儲單元寫入電流和功耗的因素及其影響方式，探討并總結(jié)了相變存儲單元結(jié)構(gòu)的設(shè)計思路