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文檔簡介
1、隨著CMOS器件工藝特征尺寸的減小，熱問題成為深亞微米集成電路設(shè)計中最具挑戰(zhàn)的問題之一?；ミB線溫度估計在深亞微米集成電路設(shè)計中也一直備受關(guān)注。本論文主要進行的是深亞微米Cu/低k介質(zhì)多層金屬互連結(jié)構(gòu)的溫度分析。在多層金屬互連結(jié)構(gòu)中，通常采用Cu代替Al作為互連金屬材料以減少互連電阻，同時采用低介電常數(shù)材料代替二氧化硅，可有效的減小了互連線上的寄生電容，從而減小RC互連電阻，降低了互連延時，但這些材料的低熱傳導(dǎo)系數(shù)卻進一步惡化了互連線上的
2、溫度情況。此外，由于通孔直徑進一步的減小，單位體積內(nèi)通孔數(shù)量的進一步增加，通孔產(chǎn)生的自熱成為一個非常重要的熱源，從而影響了整個互連系統(tǒng)的溫度分布。
本文詳細討論了考慮通孔自熱效應(yīng)的多層金屬互連溫度分布解析模型，通過建立模型進行了單層互連線，多層互連線的溫度分析，進一步討論了通孔的溫度分布、通孔自熱效應(yīng)對互連線溫度分布的影響以及通孔對有效熱傳導(dǎo)系數(shù)的影響。
本論文還提出了一種基于SPICE與熱電二元性的熱RC網(wǎng)
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