深亞微米集成電路制造中的失效分析應(yīng)用.pdf

1、半導(dǎo)體制造技術(shù)從微米時(shí)代進(jìn)入了納米時(shí)代，世界上先進(jìn)的半導(dǎo)體公司已經(jīng)能夠生產(chǎn)32納米的芯片，越來越多的先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備被引進(jìn)到半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中。在不斷的先進(jìn)技術(shù)開發(fā)制造過程中，需要先進(jìn)的失效FA的分析，對生產(chǎn)制造過程中遇到的良率問題進(jìn)行分析，找到問題的真正原因，并提出失效模型，與生產(chǎn)部門共同解決問題，提高產(chǎn)品的良率。
　　 本論文詳細(xì)的闡述了亞微米集成電路制造過程的先進(jìn)設(shè)備和工藝流程以及失效分析的設(shè)備原理和應(yīng)用。論文研究了在先進(jìn)的大

2、規(guī)模集成電路制造工廠常用的失效分析設(shè)備的種類和應(yīng)用。例如：掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡等，這些技術(shù)和手段的應(yīng)用極大地推動(dòng)了電子元器件失效分析技術(shù)的發(fā)展，使失效機(jī)理研究工作進(jìn)一步深化。介紹了集成電路的主要工藝流程，并且重點(diǎn)介紹了失效分析技術(shù)在這些工藝中的應(yīng)用，結(jié)合本論文作者實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)，對集成電路制造工藝中發(fā)生的典型事件，運(yùn)用失效分析設(shè)備和失效分析技術(shù)，進(jìn)行分析，從事件的起因過程，到事件的本質(zhì)原因以及最終的解決方案，進(jìn)行全程追蹤，并與工