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文檔簡介
1、Nb3Sn和其他A15結構的化合物由于具有較高的臨界電流密度(Jc)和上臨界磁場(Bc2)而被廣泛的應用于核能,核磁共振(NMR)以及高能粒子加速器。人們對A15型超導體在應用、基本的晶格動力學以及電子性能等領域進行了廣泛深入的研究。
本文選取A15型化合物中的Nb3X(X=Al,Ga,Ge,Pb,Sb,Si,In,Sn)作為研究對象,基于密度泛函理論的方法并結合平/陡帶理論模型,計算并分析了此類材料的電子結構、力學性能以及它
2、們與超導電性的關系。其主要內容和結果如下:
1.基于密度泛函理論(DFT),在自洽計算過程中采用廣義梯度近似(GGA),電子交換關聯(lián)勢采用PBE的方法研究了Nb3X(X=Al,Ga,Ge,Pb,Sb,Si,In,Sn)的電子結構;選取Nb3Al和Nb3Sn作為平陡帶理論模型的一種新的測試。電子結構的計算結果與之前的研究結果符合的很好,Nb3Al和Nb3Sn在費米附近有非常平緩的能帶,陡帶位于第一布里淵區(qū)M點附近,結果顯示它們符
3、合平/陡帶理論模型。
2.Nb3Al的電子結構顯示,費米面附近的能帶主要由Nb的d態(tài)貢獻,Nb原子對其超導電性有重要貢獻。對Al原子在Nb3Al中的作用的分析,本文選取了幾種假象的結構,分別是Nb3*、Nb3Nb、Nb3Al0.5,研究了它們的電子結構,并與Nb3Al進行比較,結果顯示Al原子對Nb3Al的結構的穩(wěn)定性有重要作用;Al原子的s態(tài)電子對Nb3Al中最低能帶有主要貢獻。
3.研究了Nb3Al的彈性性能和在
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