碳化硅粉體低溫合成工藝以及二氧化硅為主的燒結(jié)相晶型轉(zhuǎn)變的研究.pdf

1、本文主要研究了碳化硅粉體低溫合成工藝以及二氧化硅燒結(jié)相晶型轉(zhuǎn)變工藝。對實驗結(jié)果進行X-射線衍射分析，采用掃描電子顯微鏡(SEM)對所得樣品的尺寸與形貌進行表征。以SiO2為硅源，炭黑為碳源，F(xiàn)e2O3、Fe(NO3)3、Na2SiO3為催化劑在氬氣氣氛保護下采用碳熱還原法制備碳化硅粉體，研究催化劑含量，合成溫度對SiC生成產(chǎn)率、形貌的影響。實驗結(jié)果表明：在原料中添加Fe2O3后在1350℃下保溫五小時就能生成SiC微粉，在1400℃下保

2、溫5h基本上全部轉(zhuǎn)化為晶粒尺寸大小在50nm左右的SiC微粉；在相同溫度下，隨著Fe2O3的增加，SiC產(chǎn)率增加，合成溫度的升高也能提高SiC的產(chǎn)率，添加Fe2O3能加快反應速度以及提高SiC微粉的生成量；實驗還對以二氧化硅為主的燒結(jié)相的不同晶型轉(zhuǎn)變進行了探究，以SiO2為原料，Na2SiO3、CaCO3為催化劑分別在1300℃、1350℃、1400℃、1450℃下空氣中保溫3h的結(jié)果顯示，隨著溫度升高產(chǎn)物中的石英含量降低，Na2SiO