硅微通道陣列氧化絕緣技術及應力問題研究

1、分類號：U D C ：密級：亙壘五編號：——硅微通道陣列氧化絕緣技術及應力問題研究R e s e a r c h o n I n s u l a t i o n a n d S t r e s si nO x i d a t i o n L a y e r o f S i l i c o nM i c r o c h a n n e l A r r a y學位授予單位及代碼：量查堡王太堂 ! ! Q ! 墨魚2學科專業(yè)名稱及代碼：邀電王

2、堂皇回簽電王堂( Q Z 2 三Q 三)研究方向：盛堡皂王墨鮭皇堇薟 申請學位級別：亟 ±論文起止時間： 2 0 1 2 ．0 9 - 2 0 1 3 ．1 2摘 要硅微通道在微光夜視，光電倍增管，X ．射線增強器等領域中得到廣泛應用。為了滿足微通道板電子倍增器件的要求，需要使用熱氧化的方法在微通道內部產生一層起電絕緣作用的二氧化硅，二氧化硅薄膜層具有高擊穿電壓，可滿足電子倍增器對高壓的要求。所以在氧化過程中要找到合適的參數值

3、和制備工藝，使得二氧化硅絕緣層的厚度、擊穿電壓滿足要求。本文主要針對在制備二氧化硅薄膜過程中的氧化絕緣和熱應力問題進行實驗，實驗分別對硅微通道陣列在干氧氧化8 小時和濕氧氧化8 小時，制得的干氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為4 5 8 n m 和制得濕氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為1 ．4um 。并且在4 8 小時濕氧氧化條件下，制的二氧化硅絕緣層擊穿電壓大于1 0 0 0 V 。通過A N S Y S 軟件模擬分析硅微通道陣列上二氧化硅絕緣層應