螺旋波誘導低溫低壓氫等離子體溫度與密度研究.pdf

1、隨著等離子體技術的迅速發(fā)展，低溫低壓等離子體在新型材料制備和等離子體加工領域中地位日趨重要。在利用等離子體化學氣相沉積(PCVD)技術制備薄膜中，制備出的薄膜質量和特性主要取決于放電產生的等離子體的內部狀態(tài)，因此診斷其內部狀態(tài)參數(shù)對保證真空鍍膜的穩(wěn)定性和可重復性，優(yōu)化等離子體工藝起著決定性作用。螺旋波等離子體作為最新的低溫氣壓等離子體源，在新型納米材料制備、超大規(guī)模集成電路工藝等方面具有廣泛的應用前景。
　　 本文綜合采用Lan

2、gmuir探針法和發(fā)射光譜法對螺旋波誘導的氫等離子體進行了原位診斷，研究了部分等離子體參數(shù)隨宏觀實驗參量的變化規(guī)律。
　　 采用自主設計的Langmuir掃描探針原位診斷了不同實驗參量下的I-V特性曲線，根據(jù)雙曲正切函數(shù)的指數(shù)變換模型平滑數(shù)據(jù)，采用Druyvesteyn方法對數(shù)據(jù)進行了分析，得到等離子體參數(shù)電子密度、有效電子溫度和電子能量幾率函數(shù)，研究了它們隨實驗參量的變化規(guī)律。
　　 采用發(fā)射光譜法診斷了氫原子的Bal