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1、磁控濺射技術(shù)是一種給基體上施加負(fù)電壓的真空鍍膜工藝。磁控濺射設(shè)備一般包括真空沉積室和磁控濺射電源等。磁控濺射工藝中,給基體上加脈沖電壓,相對(duì)于直流電壓,得到的薄膜性能更好。
在磁控濺射基體上加脈沖電壓,可以獲得性能良好的薄膜,但等離子體負(fù)載中存在容性成分,導(dǎo)致負(fù)載電壓振蕩嚴(yán)重,影響薄膜的穩(wěn)定沉積。本論文在深入分析磁控濺射等離子體負(fù)載的特性基礎(chǔ)上,根據(jù)已有磁控濺射等離子體負(fù)載等效電路模型,對(duì)振蕩產(chǎn)生的原因進(jìn)行分析,設(shè)計(jì)了一種負(fù)載
2、匹配電路,有效減小了脈沖電壓前沿的振蕩。
由于工藝的需求,要求脈沖磁控濺射電源輸出的脈沖應(yīng)能夠?qū)崿F(xiàn)多參數(shù)大范圍可調(diào),為此本文研究了脈沖復(fù)合調(diào)制策略,以實(shí)現(xiàn)正負(fù)向脈沖個(gè)數(shù)、頻率、占空比、換向時(shí)間均可自由調(diào)節(jié),大大提高了脈沖磁控濺射電源的工藝適用范圍。
在磁控濺射工藝中,經(jīng)常遇到靶材表面“打火”的現(xiàn)象,這會(huì)導(dǎo)致電流、電壓的波動(dòng)很大,極易引起過(guò)流保護(hù)。為了既保護(hù)電源設(shè)備,又不失去工藝區(qū)間,本文針對(duì)這一問(wèn)題設(shè)計(jì)了基于復(fù)合脈沖
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