鋁誘導(dǎo)對多晶硅生長的影響.pdf

1、本碩士論文分析了鋁誘導(dǎo)多晶硅薄膜制備的發(fā)展歷程，對鋁誘導(dǎo)多晶硅薄膜的制備和表征進(jìn)行了具體研究。通過改進(jìn)工藝條件和制備參數(shù)（襯底材料，鍍膜襯底材料溫度、鍍膜時(shí)間及B摻雜），制備多晶硅薄膜。主要制備步驟包括:清洗玻璃，PECVD沉積非晶（微晶）硅薄膜，真空蒸鍍法沉積鋁膜，最后升華爐退火處理，制備得到多晶硅薄膜。利用X射線衍射儀(XRD)，紫外-可見分光光度計(jì)，光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡等表征儀器，對多晶硅薄膜的晶體成分構(gòu)成、光學(xué)特性和結(jié)構(gòu)特性進(jìn)行

2、表征。相比于其他制備方法相比，本論文采用增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)和真空蒸鍍法在干凈的玻璃表面或者FTO表面沉積Si薄膜和Al薄膜。沉積薄膜工藝簡單，襯底材料成本低廉，沉積薄膜的均勻性好，適合于大面積大規(guī)模的工業(yè)化流水線生產(chǎn)。
　　本實(shí)驗(yàn)室已成功利用鋁誘導(dǎo)法制備出了多晶硅薄膜，實(shí)驗(yàn)以硅烷(SiH4)為原料，以氫氣(H2)為載氣制備出非晶、微晶、多晶晶核，經(jīng)過鋁誘導(dǎo)退火處理，得到多晶硅薄膜，并通過對多晶硅薄膜表征，研究鋁鋁誘導(dǎo)