多晶硅濕法提純與定向生長(zhǎng)模擬研究.pdf

1、隨著多晶硅太陽(yáng)能電池的快速推廣,進(jìn)一步降低多晶硅生產(chǎn)成本是科研人員追求的目標(biāo),一些制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的新技術(shù)、新方法得到了快速發(fā)展。冶金法制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅憑借其生產(chǎn)周期短、成本低、污染小的優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最能有效地降低多晶硅生產(chǎn)成本的技術(shù)之一。濕法冶金提純多晶硅和定向凝固法制備多晶硅作為冶金法制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅中的二個(gè)重要過(guò)程,已經(jīng)成為當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。
　　 本文根據(jù)冶金級(jí)硅中雜質(zhì)形態(tài)和分布特性,系統(tǒng)地研究了濕法冶金提純多晶硅的

2、工藝條件。在鹽酸作為浸出劑的前提條件下,設(shè)計(jì)了一個(gè)4因素3水平的正交試驗(yàn)方案來(lái)考察浸出劑濃度、硅粉粒徑、浸出溫度、浸出時(shí)間對(duì)浸出除雜效果的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在鹽酸作為浸出劑的前提條件下,當(dāng)工藝條件為:浸出劑濃度為6mol/L,硅粉粒徑44μm,浸出溫度100℃、浸出時(shí)間10h,冶金級(jí)硅中的主要雜質(zhì)Fe和Al的浸出率分別為79.7％與65.9%。
　　 同時(shí)本文用有限元分析軟件COMSOLMultiphysics對(duì)定向凝固法制備多