NPN型晶體管輻射損傷及退火效應(yīng)研究.pdf

1、本文采用低能質(zhì)子和電子作為輻照源，研究了NPN雙極型晶體管(3DG112D)在輻照過程中的性能退化規(guī)律。電流增益是雙極型晶體管的電性能參數(shù)中關(guān)鍵的參數(shù),其衰減是雙極型晶體管最顯著同時(shí)也是最典型的輻射損傷效應(yīng)。
　　本文中除研究雙極型晶體管電流增益隨輻照注量的變化外，還在輻照試驗(yàn)完成后，研究了電流增益隨退火時(shí)間、溫度、偏置條件的變化規(guī)律。
　　研究表明，在相同的輻照源種類、粒子能量及通量條件下，NPN型晶體管電性能參數(shù)隨著輻照

2、注量的不斷增加而加??；當(dāng)晶體管受到110和70keV電子輻照，70keV質(zhì)子輻照時(shí)，其電流增益的倒數(shù)隨輻照注量的增加而增加且逐漸趨于飽和狀態(tài)；當(dāng)晶體管受到170keV質(zhì)子輻照時(shí)其電流增益的倒數(shù)隨輻照注量的增加而增加且呈線性關(guān)系；當(dāng)170keV與110keV電子同時(shí)輻照時(shí)，位移損傷效應(yīng)起了主導(dǎo)作用，而電離效應(yīng)會(huì)對(duì)加劇位移損傷的影響。
　　退火試驗(yàn)結(jié)果表明，等溫退火時(shí)，NPN型晶體管電性能隨退火時(shí)間的增加逐漸恢復(fù)。等時(shí)退火時(shí)，溫度越高