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文檔簡介
1、概述概述場效應晶體管:英文名稱為FieldEffectTransist,縮寫為FET,簡稱場效應管。各類場效應管根據(jù)其溝道所采用的半導體材料,可分為N型溝道和P型溝道兩種。所謂溝道,就是電流通道。半導體的場效應,是在半導體表面的垂直方向上加一電場時,電子和空穴在表面電場作用下發(fā)生運動,半導體表面載流子的重新分布,因而半導體表面的導電能力受到電場的作用而改變,即改變?yōu)榧与妷旱拇笮『头较?,可以控制半導體表面層中多數(shù)載流子的濃度和類型,或控制
2、PN結空間電荷區(qū)的寬度,這種現(xiàn)象稱半導體的場效應。場效應管屬于電壓控制元件,這一點類似于電子管的三極管,但它的構造與工作原理和電子管是截然不同的,與雙極型晶體管相比,場效應晶體管具有如下特點:(1)輸入阻抗高;(2)輸入功耗?。唬?)溫度穩(wěn)定性好;(4)信號放大穩(wěn)定性好,信號失真??;(5)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。根據(jù)構造和工藝的不同,場效應管分為結型和絕緣型兩大類。結型場效應管結型場效應管圖十一(a)是結
3、型場效應管的結構示意圖。圖十一(b)是N型導電溝道結型場效應管的電路符號。在兩個高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很?。苡卸喾N類型,目前應用最廣泛的一種是以二氧化硅(SiO2)為絕緣層的金屬一氧化物一半導體(MeialOxideSemiconduct)場效應管,簡稱MOS場效應管(MOSFET)。它也有N溝道和P溝道兩類,每類按結構不同又分為增強型和耗盡型。一、增強型一、增強型MOS管1結構與符號結構與符號圖Z01
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