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文檔簡介
1、本文從分析SRAM電路的結(jié)構(gòu)入手，詳細(xì)分析了SRAM電路各個子電路的工作狀態(tài)，并采用電路分析和仿真的方法建立了電路的功耗、訪問速度和芯片面積模型。然后將該模型應(yīng)用于ARM720T內(nèi)核的SRAM電路設(shè)計中，提出了最優(yōu)化的電路設(shè)計方案。最后采用該模型設(shè)計了Cache電路中容量為8KB的SRAM電路。對8KBSRAM電路做了結(jié)構(gòu)上的優(yōu)化，采用了兩種電路改進(jìn)的方法來改進(jìn)電路的性能：低電壓位線擺幅技術(shù)和地址轉(zhuǎn)換偵測技術(shù)。低電壓位線擺幅技術(shù)的實(shí)現(xiàn)通
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