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文檔簡介
1、輕摻雜漏(LDD)工藝已經(jīng)成為亞微米、超深亞微米MOS器件能夠有效地抑止熱載流子(HC)效應(yīng)的標準工藝之一,但它同時也帶來了在小尺寸器件模型和熱載流子退化機理方面與常規(guī)結(jié)構(gòu)器件的差異.本文針對超深亞微米漏工程器件的模型及可靠性的研究,建立了適用于超深亞微米LDD NMOSFET器件的I-V簡捷模型并改善了襯底電流模型的描述.對實驗數(shù)據(jù)的參數(shù)提取方法也進行了修正,使提取出的參數(shù)更符合實際情況.對熱載流子的特殊退化機理從實驗和理論兩方面進行
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