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1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文關(guān)于深亞微米器件GOI及NBTI可靠性問題的研究姓名:許松申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):電子與通訊工程指導(dǎo)教師:劉冉20080328AbstractWithcontinuingdevelopmentofsemiconductortechnologythetransistordimensionsarekeepingscalingdownfromsubmicrontonanometertechnologyAecordingto
2、theMoore’SLawthenumberoftransistorsormemorybitsisdoublingevery15to2yearsWiththegateoxidethinning,channellengthshrinkingandetcforthedownscaling,thecriticalelectricalparametersofCMOSdevices,suchasthresholdvoltageshiftGmdeg
3、radationgate/drain/substratecurrentandjunctionleakage,alegettingworseandworse,andthusstronglyimpactdevicelifetimeandlimitthefLlrtherdevelopmentofthetechnologynodeInthisworkweconductthereliabilitytestofGateOxideIntegrity(
4、GODandNegativeBiasTemperatureInstability(NBTI)andwillfocusmainlyonthefailuremechanism,therelativetestmethodologytestflowtestkeyanddataanalysisFurthermorethestatisticalprocesscontrolmethodofsemiconductormanufactureiSalsod
5、evelopedAsweknowoxidebreakdownisoneofthemostthreateningfailuremechanismsinintegratedCMOScircuitsBynowtheoxidethicknessisshrinkeddowntoabout10Ainthe65nmtechnologynode,thebreakdowndefinitionitselfisnolongerclearanditsdetec
6、tionbecomesproblematicduetoincleasingquantumtunnelingeffectTherefore,howteducethenoisebackgroundtocatchtheaccuratebreakdownpointandhowtoevaluatethedevicelifetimeforultrathingateoxideisabigchallengeinGOIreliabilitytestSom
7、enovelmethodologyimprovementincludingtestmethodologyimprovementandtestdataanalysisareinvestigatedinthisworkBesidesGOIreliabilityconcernnegativebiastemperatureinstability(NBTI)ofpMOSFEThasbeenindentifiedasacriticallimitin
8、gfactorthatultimatelydeterminesthelifetimeofthedevicesindeepsub—microntechnologyInthiswork,wewillalsodiscusstheNBTItestflowandmodelingAssaturationandselfrecovereffecthavebeenfoundinPMOSFETNBTItest,somenewfasttestmethodsb
9、asedonrecentdevicephysicsresearchhavebeenintroducedFinallywedevelopedOurOwnintegratedreliabilitytestmethodologybasedOllindustrystandardsandOurresearchresultsinGOIandNBTI,whichprovidesthereliabilityassuranceforsemiconduct
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