深亞微米MOS器件熱載流子可靠性的物理建模.pdf_第1頁(yè)
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1、該論文中,實(shí)現(xiàn)了從熱載流子向柵注入開(kāi)始,到產(chǎn)生損傷,引起器件特性退化,直至對(duì)器件壽命影響的的物理描述.首先,我們用流函數(shù)方程在熱載流子向柵注入過(guò)程的精確描述方面取得了突破.依據(jù)"幸運(yùn)電子"概念,基于我們已創(chuàng)建的溝道和襯底電流的二維分布模型,建立了NMOSFET的電子和空穴柵電流的分布模型. 空穴柵電流的分布模型是基于負(fù)縱向場(chǎng)加速的新的發(fā)射物理過(guò)程建立的.柵電流分布模型是一個(gè)解析模型.分析表明,模型揭示了一些粒子向柵發(fā)射中的物理過(guò)程然后,

2、我們根據(jù)所獲得的柵電流模型,分析得出了損傷影響的主要因素,從而完成了對(duì)損傷產(chǎn)生過(guò)程的綜合物理描述.我們建立了應(yīng)力期間和應(yīng)力后的PMOSFET的損傷電子?xùn)烹娏髂Ｐ?經(jīng)與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的驗(yàn)證證明了模型是與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)吻合的.我們還提出了表征損傷程度的特征電壓和特征陷阱態(tài)密度概念,并首次獲得了電子?xùn)烹娏魉p指數(shù)的表示式.它們對(duì)器件壽命的物理建模是非常重要的和必要的.最后,我們根據(jù)所獲得的對(duì)熱載流子注入的精確描述模型和對(duì)損傷產(chǎn)生過(guò)程的綜合物理描述模型完成

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