新型微電子IC晶圓清洗方法的研究.pdf

1、隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)晶圓表面潔凈度的要求越來(lái)越高，使微電子晶圓清洗工藝面臨著許多技術(shù)難題。本論文主要是針對(duì)目前普遍采用的傳統(tǒng)的RCA清洗技術(shù)的不足，如耗費(fèi)大量的高純化學(xué)試劑，高純?nèi)ルx子水，工藝步驟繁雜，污染破壞環(huán)境等一系列問(wèn)題，研究一種新型電化學(xué)氧化清洗技術(shù)。
　　 論文對(duì)目前微電子清洗做了詳細(xì)的介紹，并介紹了目前普遍采用的幾種清洗方法以及各種方法的優(yōu)缺點(diǎn)。引入本論文所用的電化學(xué)氧化清洗方法，以及驗(yàn)證該技術(shù)應(yīng)用于微電子清

2、洗中的可行性;該新型清洗方法應(yīng)用硼摻雜金剛石膜作為陽(yáng)極進(jìn)行電化學(xué)氧化，陽(yáng)極電解槽產(chǎn)物為具有強(qiáng)氧化性的氧化液，可以將水氧化成雙氧水，并能生成臭氧，利用這種強(qiáng)氧化溶液來(lái)進(jìn)行有機(jī)物污染的去除;顆粒污染和金屬離子污染采用非離子表面活性劑和金屬離子螯合劑去除;電化學(xué)氧化去除有機(jī)污染物放在最后一步進(jìn)行，是因?yàn)?，電化學(xué)氧化液可以同時(shí)將晶圓表面殘留的活性劑和螯合劑殘留一并去除，不會(huì)由于試劑的使用造成二次污染。因此，該方法是一種高效、環(huán)保的清洗技術(shù)，能夠