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1、透明導(dǎo)電氧化物作為一種重要的光電子信息材料,在薄膜太陽(yáng)能電池、傳感器、平板液晶顯示器和紅外反射器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。在這類(lèi)材料中,氧化鋅(ZnO)是一種寬禁帶(3.3eV)的n型半導(dǎo)體材料,易產(chǎn)生缺陷和進(jìn)行雜質(zhì)摻雜。相對(duì)于銦錫金屬氧化物(ITO)和氟摻雜SnO2(FTo)而言,具有原材料資源豐富、價(jià)格低廉,沉積溫度相對(duì)較低和在氫等離子體環(huán)境中穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),是一種希望的TCO材料。人們已經(jīng)采用多種薄膜生長(zhǎng)技術(shù)來(lái)制備ZnO基透明導(dǎo)電薄
2、膜,其中磁控濺射因沉積系統(tǒng)相對(duì)簡(jiǎn)單、易操作,成膜質(zhì)量好,可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜,有利于工業(yè)化生產(chǎn)。
在磁控濺射ZnO中,正負(fù)離子對(duì)襯底的轟擊直接影響到薄膜的質(zhì)量。CIGS太陽(yáng)電池工藝中,需要在CdS薄膜上濺射ZnO薄膜,離子的轟擊還會(huì)損傷CdS層,更需要注意。因此,開(kāi)展磁控濺射中正負(fù)離子對(duì)薄膜生長(zhǎng)影響的研究非常有意義。
論文首先研究了負(fù)離子在濺射過(guò)程中對(duì)ZnO:A1薄膜光電特性的影響。研究發(fā)現(xiàn),濺射中的負(fù)離子會(huì)對(duì)薄
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