Si基底取向?qū)nO-Al薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響研究.pdf

1、ZnO是一種具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，激子束縛能高達(dá)60meVⅡ-Ⅵ族直接寬帶隙（室溫帶隙寬3.37eV）的氧化物半導(dǎo)體材料。由于其優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)及壓電等性能，在透明導(dǎo)電薄膜、發(fā)光二極管、紫外光探測(cè)器、氣敏傳感器、表面聲波等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，同時(shí)已在多種基底上成功制備了高質(zhì)量的ZnO薄膜。
　　在各種常用ZnO薄膜生長(zhǎng)的基底材料中，Si基底價(jià)格低廉，并具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性，可以實(shí)現(xiàn)ZnO器件與硅電路的混合集成等優(yōu)勢(shì)。然而，Zn

2、O與Si基底之間存在較大的晶格錯(cuò)配，容易導(dǎo)致薄膜與基底界面處產(chǎn)生缺陷使薄膜性能變差。因?yàn)镾i基底的取向?qū)缑驽e(cuò)配有關(guān)鍵影響，所以研究Si基底不同取向?qū)nO薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響尤為重要。雖然，前人對(duì)不同取向的Si基底對(duì)ZnO薄膜的影響也做了一些研究，但這些研究中對(duì)Si基底不同取向?qū)nO薄膜形貌和電學(xué)性能的影響缺乏深入研究和解釋。
　　為解決這些問(wèn)題，本文研究了Si基底不同取向?qū)nO薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。首先，利用射頻磁控濺

3、射方法在Si(111)上制備了Al摻雜ZnO(AZO)薄膜，探索了基底溫度、濺射功率和工作氣壓對(duì)薄膜的影響。并在此基礎(chǔ)上確定最佳工藝參數(shù)，制備出性能優(yōu)異的AZO薄膜。其次，研究了Si基底不同取向?qū)ZO薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。采用射頻磁控濺射方法在(100)、(110)和(111)Si基底上制備AZO薄膜。研究發(fā)現(xiàn)，對(duì)于不同取向Si基底，薄膜具有高度c軸擇優(yōu)取向，并且都是柱晶形貌。在(100)、(110)和(111)Si基底上AZO薄

4、膜的晶粒尺寸依次增大，因此晶界分布密度依次減小，導(dǎo)致薄膜電阻率降低。最后，利用O點(diǎn)陣模型計(jì)算AZO/Si界面錯(cuò)配，從界面錯(cuò)配方面研究(100)、(110)和(111)Si對(duì)薄膜的形貌和性能的影響。通過(guò)分析AZO/Si界面錯(cuò)配發(fā)現(xiàn)AZO與(100)、(110)和(111)Si界面位錯(cuò)密度分別為0.717nm-1、0.588nm-1和1.637nm-1，并且在(100)和(110)Si基底上出現(xiàn)混合二次位錯(cuò)。綜合這些結(jié)果可得(100)、(1