版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、做為未來制備納電子器件的目前最引人注意的新型納米材料——單原子層石墨片(graphene),關(guān)于它的各類理論和實(shí)驗(yàn)的研究已經(jīng)成為當(dāng)今國際上凝聚態(tài)物理學(xué)領(lǐng)域一個新興的熱點(diǎn)問題。這一新型材料的各種可能的應(yīng)用都要求人們對其制備技術(shù)的物理機(jī)制在微觀尺度上有著更加準(zhǔn)確和深刻的認(rèn)識。本論文主要涉及的是6H-SiC熱蒸發(fā)外延制備石墨片時(shí),在生長初期石墨片生長機(jī)制的核心問題。
到目前為止,由于實(shí)驗(yàn)方法,觀測手段的限制,對graphene生長過
2、程的微觀機(jī)制中的很多問題都沒有得到解決。已有的研究給出了多種生長模式,但卻沒能從原子尺度加以解釋說明。本文中,采用基于密度泛函理論的第一性原理方法對6H-SiC的3(′o)R303重構(gòu)面吸附碳原子生長石墨片緩沖層的微觀過程從原子尺度進(jìn)行了系統(tǒng)的理論研究。對6H-SiC-3(′o)R303吸附graphene的情況進(jìn)行了討論。發(fā)現(xiàn)graphene下的Sia原子很難被脫附,卻能通過兩步置換的過程離開襯底。又分別對6H-SiC的3(′o)R3
3、03重構(gòu)面進(jìn)行了單個碳原子,單個硅原子,兩個碳原子,三個碳原子的吸附性能進(jìn)行了計(jì)算模擬。單個碳原子與單個硅原子的吸附性能的比對中,發(fā)現(xiàn)碳原子更易于吸附于6H-SiC-3(′o)R303重構(gòu)面。同時(shí),還結(jié)合單個至三個碳原子時(shí)的吸附性能研究與相應(yīng)結(jié)構(gòu)下的置換構(gòu)型研究,并進(jìn)一步考察其電荷密度特性,發(fā)現(xiàn)aSi原子傾向于與外界C原子進(jìn)行置換。本文找到可能的6H-SiC-3(′o)R303重構(gòu)面在graphene緩沖層生產(chǎn)過程中如何扮演著模版作用的
4、微觀解釋。
另外,針對實(shí)驗(yàn)上生長過程中所觀測到的在SiC基底的不同區(qū)域出現(xiàn)不同生長速度的問題,本文對6H-SiC-(0001)面幾種不同的晶體表面進(jìn)行了比較研究。分別考察了它們的幾何結(jié)構(gòu),表面能以及在不同晶面上的吸附作用。為它們對外延制備graphene時(shí)所產(chǎn)生的影響進(jìn)行了分析。計(jì)算結(jié)果表明6H-SiC-(0001)的6個不同晶體表面S1、S2、S3、S1*、S2*、S3*在幾何結(jié)構(gòu)和表面能上存在差異。其中,S1與S1*,S2
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 氮化銦(0001)表面結(jié)構(gòu)的第一原理研究.pdf
- SiC表面鈍化的第一性原理熱力學(xué)研究.pdf
- 摻N的4H-SiC第一性原理研究.pdf
- S吸附對SiC表面重構(gòu)影響的第一性原理研究.pdf
- 3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)表面再構(gòu)的原子結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)的理論研究.pdf
- 金屬-graphene接觸性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- SiC表面碳團(tuán)簇及其鈍化的第一性原理研究.pdf
- 4H-SiC(0001)表面缺陷結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)理論研究.pdf
- Graphene電子結(jié)構(gòu)應(yīng)變效應(yīng)的第一性原理研究.pdf
- SiC(001)表面重構(gòu)與多型體的第一性原理研究.pdf
- ZnO表面及Sn對ZnO(0001)極性表面O吸附影響的第一性原理研究.pdf
- 氧在Ru(0001)表面吸附、擴(kuò)散和滲透的第一性原理研究.pdf
- 金屬-石墨烯-4H-SiC接觸界面的第一性原理研究.pdf
- 硫吸附6H-SiC的表面穩(wěn)定性分析.pdf
- 過渡金屬二硼化物(0001)表面穩(wěn)定性的第一性原理研究.pdf
- 6H-SiC的輻照效應(yīng)研究.pdf
- 過渡金屬二硼化物(0001)表面穩(wěn)定性的第一性原理研究
- SiC材料P型摻雜的第一性原理研究.pdf
- Mg、H摻雜ZnO的第一原理研究.pdf
- 6H-SiC表面熱氧化生長的SiO-,2-特性研究.pdf
評論
0/150
提交評論