6H-SiC肖特基源漏MOSFET的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、論文給出了6H-SiC SBSD-MOSFET的基本結(jié)構(gòu)及模型,并分析了其電流輸運(yùn)機(jī)制.根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn),我們可以將其看作是兩上背靠背的肖特基二極管.源漏區(qū)肖特基接觸界面的特性和常規(guī)肖特基二極管相似,電流的輸運(yùn)主要以熱電子發(fā)射和隧道效應(yīng)為主.通過二維模擬軟件MEDICI模擬了6H-SiC SBSD-MOSFET的基本伏安特性,并和常規(guī)SiC MOSFET特性進(jìn)行了比較,分析了源、漏、柵金屬功函數(shù)、柵氧化層厚度、柵長、襯底摻雜濃度和其它因素

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