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文檔簡介
1、該研究采用自制的MOCVD設備,通過對MOCVD反應室結(jié)構(gòu)的改進,系統(tǒng)研究了MOCVD技術(shù)制備薄膜的工藝、沉積膜的組織結(jié)構(gòu),并重點研究了膜的組織結(jié)構(gòu)特征.采用碳基鎳Ni(CO)<,4>為沉積源來沉積鎳薄膜,研究了沉積溫度、反應室工作壓力、載氣流量等工藝參數(shù)對膜沉積速率的影響.利用光學顯微鏡、SEM、XRD、DSC、AFM等分析手段,分析了沉積膜的組織結(jié)構(gòu),探討了沉積基體.沉積溫度、載氣流量、載氣及碳基鎳分玉對組織結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律.該文第一
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