液態(tài)源MOCVD法制備熱釋電薄膜工藝研究.pdf

1、金屬有機物化學汽相沉積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）是一項制造薄膜材料的關(guān)鍵技術(shù)，目前廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量半導體薄膜、鐵電薄膜、超導薄膜和各種半導體器件。本文在研究了現(xiàn)代MOCVD技術(shù)的基本原理和特點的基礎(chǔ)上，研制了采用液態(tài)源的MOCVD系統(tǒng)。 用MOCVD法沉積熱釋電薄膜的主要障礙是先體材料，傳統(tǒng)的方法多采用氣態(tài)源，且多選取較高蒸氣壓的MO源先體。本文采用了金屬醇

2、鹽的液態(tài)MO源先體、液體脈沖輸送和超聲霧化技術(shù)，能有效地解決先體材料及其輸送問題。液態(tài)源MOCVD系統(tǒng)的硬件部分主要由真空系統(tǒng)、液態(tài)源輸送系統(tǒng)、進氣系統(tǒng)和溫控系統(tǒng)構(gòu)成。設(shè)備的操作采用可編程控制器（PLC）和觸摸屏。利用PLC和智能儀表等實現(xiàn)信號的采集轉(zhuǎn)換及控制，實現(xiàn)了設(shè)備的自動化控制。 將所需元素的金屬有機物按一定化學計量比制成液態(tài)或固態(tài)MO源先體，再溶解于有機溶劑中，形成一定摩爾濃度的溶液或懸濁液，即液態(tài)MO源先體。然后由輸送