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文檔簡介
1、對GaAs器件的失效機(jī)理進(jìn)行了較為系統(tǒng)的闡述,并對MMIC中無源元件的失效對器件的影響進(jìn)行了較詳細(xì)的分析并提出改進(jìn)方案.針對目前常規(guī)評價(jià)方法不能適應(yīng)當(dāng)前微電子器件快速發(fā)展的需求,提出了恒定電應(yīng)力的溫度斜坡法(簡稱TRM法),動(dòng)態(tài)觀察和分析器件退化的全過程,應(yīng)用此方法給出了實(shí)驗(yàn)樣品的失效激活能和壽命預(yù)測值,并與常規(guī)方法進(jìn)行了比較,得到了比較一致的結(jié)果.在計(jì)算壽命的過程中,綜合考慮了電應(yīng)力和溫度應(yīng)力,根據(jù)失效判據(jù),選取實(shí)驗(yàn)過程中相應(yīng)的溫度段
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