富硅二氧化硅薄膜的光致熒光特性研究.pdf

1、山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文富硅二氧化硅薄膜的光致熒光特性研究姓名：肖淑娟申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：薛成山2001.4.29詳細(xì)內(nèi)容摘要模型是指對(duì)于氧化多 孔硅，電 子一 空穴對(duì)的光激發(fā)發(fā)生在納米硅晶粒和氧化硅中，光激發(fā)出的電 子和空穴轉(zhuǎn)移到二氧化硅層中及硅與二 氧化硅界面上的 發(fā)光中 心 ( 如缺陷、 雜質(zhì)等) 上復(fù) 合而 發(fā)光。為了能夠制備出 具有高質(zhì)量的硅納米相材料，國內(nèi) 外許多 研究者已 嘗試了多種生長方

2、法，如①化學(xué)氣相淀積法， ②射頻濺射 法 ③ 硅 離 子 注 入 、 i o , 法 等 。 戶一 -第二章介紹我們制備富硅二氧化硅所用的 濺射系統(tǒng)、 濺射靶 的 設(shè) 計(jì) · 樣 品 制 備 過 程 以 及 組 成 結(jié) 構(gòu) 和 熒 光 特 性 的 測 量 · 今 們 采用配有 S Y 型 5 0 0 W 射頻電 源的J C K - 5 0 0 W 型磁控濺射儀來制備 S in c / S i 0 z 薄膜。 靶材采

3、用 S i / S i o , 復(fù) 合靶。 濺射時(shí)， 使載有襯底的基片 架轉(zhuǎn)動(dòng)。 結(jié) 構(gòu) 特性 采用X 射線 衍射儀 ( X R D ) 和 工 R 透射譜 測 量 。 用 9 6 0 C R T 熒 光 分 光 光 度 計(jì) 測 樣 品 的 發(fā) 光 譜 扮 ‘第三章給出了 我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果及其分析情況。 用 I R透射譜分析樣品 成分的 相 關(guān)信息。 T , < 1 0 0 0 ℃ 時(shí)， 顯示了 S i - O - S i 鍵的 伸

4、展模式的兩個(gè)特征吸收峰。 薄膜樣品結(jié)構(gòu)模型為 R M M 和 R B M 兩 種 極 端 情 形 的 混 合 態(tài) 。 瘴 溫 退 火 后 S i - O - S i 鍵 的 伸 展 振 動(dòng) 模 式吸收峰藍(lán)移，實(shí)際上表明了: 溫升引 起了系統(tǒng)轉(zhuǎn)變， 熱力作用使本來分布均勻的S i 0 二 相長成n c - S i / S i O Z 棍合相， 其化學(xué)反 應(yīng)表 示為 : S i - S i , 0 4 _ , “ 專 S i - S i ,