固相晶化法（SPC）制備多晶硅薄膜的研究.pdf

1、本文首先從太陽電池的發(fā)展現(xiàn)狀出發(fā)，論證了發(fā)展多晶硅薄膜太陽電池的意義及必要性。接著從多晶硅薄膜太陽電池的研發(fā)現(xiàn)狀及目前研制多晶硅薄膜太陽電池所面臨的困難出發(fā)，闡述了為什么要利用非晶硅薄膜再結晶技術來制備多晶硅薄膜。然后概述了目前國內(nèi)外所采用的幾種主要的再結晶技術，包括常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導晶化、微波誘導晶化以及激光晶化等。通過分析，認為快速熱退火技術和常規(guī)高溫爐退火技術最適合也最有可能應用于多晶硅薄膜太陽電池的工業(yè)生產(chǎn)。對

2、快速熱退火技術進行了詳細的研究。研究結果表明，退火溫度和退火時間對晶化后的多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗電導率都有很大的影響，存在a-Si：H薄膜的最佳退火條件。光熱退火之前先用常規(guī)高溫爐預熱有利于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸，改善其電學性能。沉積a-Si：H薄膜時的襯底溫度越高，得到的a-Si：H薄膜越容易晶化。對快速熱退火技術的退火機理進行了初步探索，發(fā)現(xiàn)快速熱退火時，短波光對a-Si：H薄膜的晶化有著很大的影響。無論是脈沖快速熱退火還是常規(guī)