亞微米互補(bǔ)雙極工藝關(guān)鍵器件研究.pdf

1、互補(bǔ)雙極技術(shù)憑借其高速、大電流驅(qū)動(dòng)等優(yōu)勢(shì)一直受到模擬集成電路設(shè)計(jì)者的青睞。而隨著微電子技術(shù)的應(yīng)用越來越廣泛，許多領(lǐng)域如射頻放大器、A/D 轉(zhuǎn)換器等對(duì)抗輻射能力以及信號(hào)失真度的要求也越來越嚴(yán)格，這就驅(qū)使人們?cè)诠に嚿献匀欢坏貙⒏哳l互補(bǔ)雙極技術(shù)與SOI 全介質(zhì)隔離工藝相結(jié)合。在國(guó)外，SOI高頻互補(bǔ)雙極工藝已相對(duì)成熟并且用于制造產(chǎn)品。但國(guó)內(nèi)的發(fā)展比較落后，而且對(duì)其進(jìn)行專項(xiàng)研究的機(jī)構(gòu)并不多。
　　 本文以中國(guó)電子科技集團(tuán)第24 研究所模

2、擬集成電路國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的比較穩(wěn)定的互補(bǔ)雙極工藝CBIP2012為基礎(chǔ)開展了亞微米SOI 互補(bǔ)雙極工藝的器件設(shè)計(jì)工作，具體內(nèi)容如下：首先，在深入分析互補(bǔ)雙極技術(shù)及SOI工藝的理論基礎(chǔ)上進(jìn)行了器件的建模和工藝流程設(shè)計(jì)。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)采取SOI全介質(zhì)隔離，橫向盡可能縮小尺寸以減小寄生電容，縱向力求制作淺結(jié)和窄基區(qū)寬度；工藝上，根據(jù)器件模型的要求優(yōu)化工藝流程，精確設(shè)計(jì)關(guān)鍵工藝參數(shù)，如發(fā)射區(qū)離子注入條件、基區(qū)離子注入條件、退火條件等。并利用先