深亞微米SOI器件薄柵氧化機(jī)理?yè)p傷研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著集成電路中High-k技術(shù)的發(fā)展，絕緣柵氧化層質(zhì)量的好壞成為其關(guān)鍵所在。本文通過(guò)單粒子輻照和經(jīng)時(shí)絕緣擊穿(TDDB)的實(shí)驗(yàn)對(duì)深亞微米SOI器件的柵氧化層質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試，探索柵氧化層的損傷機(jī)理，主要工作包括：
　　 1)對(duì)0.13μm工藝SOI器件進(jìn)行單粒子輻照實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，在單粒子輻照后測(cè)試中發(fā)現(xiàn)器件出現(xiàn)了柵漏電流增大、驅(qū)動(dòng)能力下降、飽和電流退化，并會(huì)發(fā)生軟擊穿現(xiàn)象，軟擊穿現(xiàn)象會(huì)讓器件的性能發(fā)生明顯退化，但仍能夠工作。在電應(yīng)力實(shí)驗(yàn)

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