深亞微米SOI器件薄柵氧化機理損傷研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩61頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、隨著集成電路中High-k技術的發(fā)展，絕緣柵氧化層質量的好壞成為其關鍵所在。本文通過單粒子輻照和經時絕緣擊穿(TDDB)的實驗對深亞微米SOI器件的柵氧化層質量進行測試，探索柵氧化層的損傷機理，主要工作包括：
　　 1)對0.13μm工藝SOI器件進行單粒子輻照實驗設計，在單粒子輻照后測試中發(fā)現(xiàn)器件出現(xiàn)了柵漏電流增大、驅動能力下降、飽和電流退化，并會發(fā)生軟擊穿現(xiàn)象，軟擊穿現(xiàn)象會讓器件的性能發(fā)生明顯退化，但仍能夠工作。在電應力實驗

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論