2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文對(duì)SiC MOS 器件SiO2/SiC的界面特性進(jìn)行了系統(tǒng)、詳細(xì)的研究。針對(duì)SiC材料寬帶隙的特點(diǎn),從SiC襯底雜質(zhì)的不完全離化出發(fā),建立起包括雜質(zhì)不完全離化,Pool-Frenkel效應(yīng),少子產(chǎn)生率等因素的SiC MOS空間電荷區(qū)泊松方程。通過對(duì)電中性條件和泊松方程的數(shù)值求解,研究了SiC MOS的電特性。詳細(xì)討論了界面陷阱的起源。并針對(duì)SiC的電學(xué)和物理特性,通過對(duì)Si MOS電容測(cè)量方法進(jìn)行修正,測(cè)量了SiC MOS界面態(tài)

2、密度和邊界陷阱密度。在器件物理的基礎(chǔ)上,提出了一種較全面的半經(jīng)驗(yàn)SiC n-MOSFET反型溝道電子遷移率模型。該模型考慮了晶格、離化雜質(zhì)、表面聲子、界面電荷以及界面粗糙等散射機(jī)制對(duì)溝道遷移率的影響,并考慮了反型電子的屏蔽效應(yīng)。模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)有好的符合。首次將TCE氧化工藝用于6H-SiC MOS器件柵介質(zhì)的制備,大大改善了SiO2/SiC界面特性。與常規(guī)熱氧化方法相比,TCE氧化不僅增加了氧化速率,而且減小了界面態(tài)密度、邊界陷阱密

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