基于吡唑啉酮固相材料分離識(shí)別釷(IV)的研究.pdf

1、表面印跡技術(shù)(Surface imprinting technique)以分子印跡技術(shù)為基礎(chǔ),通過(guò)把識(shí)別位點(diǎn)建立在基質(zhì)材料的表面,來(lái)提高識(shí)別位點(diǎn)與印跡分子的結(jié)合速度,進(jìn)一步加強(qiáng)印跡材料吸附分離效率。表面印跡材料不但具有高選擇性,而且具有快速動(dòng)力學(xué),已被廣泛應(yīng)用于痕量元素分離領(lǐng)域。釷是一種天然的放射性元素,具有廣泛的商業(yè)及工業(yè)用途,并且是一種潛在的核燃料。但由于其具有放射毒性而對(duì)人類環(huán)境構(gòu)成威脅,因此,對(duì)環(huán)境中痕量釷的提取和監(jiān)測(cè)非常重要。

2、釷在地質(zhì)和環(huán)境樣品中的含量很低,基體復(fù)雜,常規(guī)分析方法包括原子吸收光譜法、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法等都難以直接測(cè)定。為了提高分析方法的靈敏性和選擇性,測(cè)定前必須首先對(duì)釷(IV)離子進(jìn)行分離和富集。而分子印跡固相萃取是一項(xiàng)專門針對(duì)復(fù)雜樣品中痕量物質(zhì)進(jìn)行分離富集的前處理技術(shù)。因此,本論文以建立表面印跡固相萃取分離痕量釷(IV)為目的,開(kāi)展了以下幾方面的研究工作:
　　1.對(duì)分子印跡技術(shù)和離子印跡技術(shù)基本原理、表面印跡材料的發(fā)展以

3、及目前釷(IV)離子分離檢測(cè)的最新進(jìn)展進(jìn)行了較為全面的分析和概述。
　　2.以釷(IV)為模板離子,通過(guò)接枝共聚法在修飾硅膠表面制備了新型的離子印跡材料,通過(guò)掃描電鏡(SEM)和氮?dú)馕?BET)對(duì)其外貌結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,并采用靜態(tài)法和動(dòng)態(tài)法系統(tǒng)研究了印跡材料對(duì)Th(IV)的吸附行為和選擇性能。在最佳條件下,印跡吸附劑最大吸附容量為56.8 mg g-1,Th(IV)/La(III)、Th(IV)/Ce(III)和Th(IV)/U(V

4、I)的選擇因子分別為78.3,82.6和50.8。并將建立的方法應(yīng)用于實(shí)際樣品和自然水樣中釷的富集測(cè)定,方法的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差和檢測(cè)限分別為2.19％和0.54μg L-1。
　　3.以4-?；吝蜻?MPABAP)與4-乙烯基吡啶組成雙配體與釷(IV)結(jié)合形成的復(fù)合物為模板,在交聯(lián)劑(EGDMA)和引發(fā)劑(AIBN)作用下,制備了用于分離吸附 Th(IV)的表面印跡材料。實(shí)驗(yàn)表明該印跡聚合物最大的靜態(tài)吸附釷(IV)的容量為59.2