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文檔簡(jiǎn)介
1、 本文研究了聚吡咯電化學(xué)聚合的適宜電位及所得聚吡咯的表面性質(zhì),并采用兩種不同方法制備具有特殊形貌的聚吡咯膜。文章采用線性掃描伏安法(LSV)于相同條件下制備導(dǎo)電聚吡咯化學(xué)修飾電極,分析其曲線特性,確定最佳聚合電位為0.6V~1.0V;研究不同的摻雜劑、聚合時(shí)間、聚合電位、單體濃度及摻雜劑濃度對(duì)所制備的導(dǎo)電聚吡咯修飾電極表面接觸角的影響,得出聚合時(shí)間為5min、聚合電位0.7V、單體濃度0.4mol/L、摻雜劑濃度0.5mol/L時(shí)制備
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