版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、β-FeSi_2和MnSi_(1.75)基半導(dǎo)體熱電材料,由于它們?cè)诶霉I(yè)廢熱余熱和其他設(shè)施熱損失發(fā)電方面有很大的潛力,而且它們還具有成本低,無(wú)毒,無(wú)污染,熱和化學(xué)穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn),所以它們備受關(guān)注。本文采用懸浮熔煉、快速凝固和單軸熱壓等制備工藝,制備了P型高錳硅和N型β-FeSi_2熱電材料。采用XRD、SEM以及材料熱電性能測(cè)試分析手段,系統(tǒng)的研究了材料微觀結(jié)構(gòu)特征及其對(duì)材料熱電性能的影響。另外進(jìn)行了以N型β-FeSi_2和P型HM
2、S熱電材料為基體的溫差電池模型的理論計(jì)算和實(shí)際測(cè)量。本文首次采用快速凝固熱壓技術(shù)制備高錳硅熱電材料。研究表明快速凝固熱壓技術(shù)是制備高錳硅的有效方法之一。對(duì)快速凝固HMS熱電材料的微觀組織研究表明在Mn_4Si_7半導(dǎo)體相基體中,存在小區(qū)域平行分布的薄片狀MnSi金屬相,其形成機(jī)制是在快速凝固時(shí)的準(zhǔn)定向凝固。研究表明不同Si含量對(duì)MnSi_(1.75-x)的熱電性能有顯著的影響。電導(dǎo)率隨Si含量的增大而下降,Seebeck系數(shù)和熱導(dǎo)率均隨
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 熱壓原位反應(yīng)合成金屬-金屬硅化物復(fù)相合金的初步研究.pdf
- 金屬硅化物納米材料的制備與性能.pdf
- VLSI中常用金屬硅化物的研究.pdf
- 過渡金屬硅化物的制備、表征和加氫性能的研究.pdf
- 集成電路中金屬硅化物的發(fā)展與演變
- 快速凝固β-FeSi-,2-基熱電材料的研究.pdf
- 金屬硅化物遮蔽層應(yīng)用深紫外曝光的技術(shù)實(shí)現(xiàn).pdf
- 硅化物熱電材料的合成與物性.pdf
- Nb-Si系金屬硅化物的組織形貌和力學(xué)性能研究.pdf
- Mo-Si系金屬硅化物組織結(jié)構(gòu)與力學(xué)行為的研究.pdf
- 微波等離子體退火方法制備金屬硅化物薄膜.pdf
- FFT-DLTS測(cè)試系統(tǒng)的研制與金屬硅化物電學(xué)性質(zhì)的研究.pdf
- 激光-感應(yīng)復(fù)合熔覆金屬硅化物基復(fù)合層的技術(shù)基礎(chǔ)研究.pdf
- 金屬硅化物熔體中不同形貌碳化硅晶體的生長(zhǎng)研究.pdf
- 精細(xì)硅化物熱電材料制備技術(shù)及其熱電傳輸性能的研究.pdf
- P型硅化物熱電材料的制備及摻雜.pdf
- 環(huán)境友好型硅化物和氧化物熱電材料的研究.pdf
- 基于Mo5Si3難熔金屬硅化物的合金化與復(fù)合化改性.pdf
- 不銹鋼表面Fe3Si型金屬硅化物滲層的制備與表征.pdf
- Me-Mo-Si(Me=W,Nb)系高溫三元金屬硅化物的制備與表征.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論