電子束蒸發(fā)沉積重摻硅薄膜及其應用.pdf

1、Si材料是半導體材料中最重要的材料之一,以應用于微電子工業(yè)等領域居多,其中Si薄膜則多用在太陽能行業(yè),且對于Si薄膜的其他用途研究則不多。
　　 現階段,建筑物用的玻璃,絕大部分輻射率較高,這樣的玻璃保溫性能差,整個建筑物損失的能量大約有一半是通過玻璃浪費掉的。因此,控制玻璃的能耗對節(jié)約能源大有裨益,其最佳選擇是采用Low-e玻璃,俗稱低輻射玻璃。
　　 目前Low-e玻璃根據其制作方式主要有在線Low-e玻璃和離線Lo

2、w-e玻璃兩種,而現階段無論在線和離線生產出來的Low-e玻璃均價格太高,在我國大部分還是用于寫字樓,商場,無法推廣到家家戶戶。這樣,對低成本Low-e玻璃的研究就擺在了我們眼前,現在比較常用的方法是磁控濺射法,但磁控濺射鍍膜設備價格昂貴,相對生產出來的Low-e玻璃價格就高。而真空蒸鍍法盡管成本簡單,但一般都是制作雙層膜,并且近幾年也沒有改進相關方法的報道。于是本實驗室嘗試采用電子束蒸發(fā)法來沉積重摻硅膜,希望可以僅采用Si原材料制備出

3、具有低輻射特性的薄膜,通過對薄膜進行晶化,摻雜等工藝,提高重摻硅膜的導電特性,或者僅僅使用Si和Ag來制備Low-e薄膜,從而可以不通氣體,降低成本和工序,并對對Si保護膜進行深入的探索,希望所做的工作對工業(yè)生產有一定的借鑒意義。
　　 論文所取得的結論主要有以下幾點:(1)采用電子束蒸發(fā)法來制備出的重摻硅膜導電性較差,需要進一步改善;(2)利用四探針,X射線衍射(XRD),SEM,EDS等表征手段對薄膜進行了表征;(3)利用鋁

4、誘導低溫晶化法對Si膜進行低溫晶化,通過透射光譜和XRD分析,晶化后的透射率較之前有不小的提升,而且導電性有大幅提升;(4)利用實驗中發(fā)現的現象,制備出了鋁摻雜硅薄膜,測試結果表明,本實驗制備出的Al-Si薄膜的導電性和可見光透射率有良好,具有一定的熱反射特性;(5)制備出了基于Si和Ag的Low-e薄膜,且性能良好,而且Si保護層能夠起到一定的保護作用。(6)研究了Si保護層對于金屬防腐蝕的能力。分別在Cu和Al薄膜上蒸鍍上了一層Si