等離子輔助電子束蒸發(fā)制備納米ZnO薄膜的性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、ZnO是一種寬帶隙半導(dǎo)體(3.37 eV),激子束縛能高達(dá)60 meV,這使得ZnO具有高效的,源于激子的紫外發(fā)射,并使得ZnO在短波長(zhǎng)激光二極管、紫外探測(cè)器等方面有著廣泛的應(yīng)用前景.到目前為止,人們已經(jīng)采用激光脈沖沉積,磁控濺射,金屬有機(jī)氣相沉積等技術(shù)來(lái)制備ZnO.從提高ZnO發(fā)光質(zhì)量和調(diào)整ZnO性質(zhì)的角度出發(fā),該篇論文采用等離子體輔助電子束蒸發(fā)技術(shù),制備金屬鋅和ZnS:Mn薄膜,然后進(jìn)行熱氧化,獲得了ZnO和Mn鈍化的ZnO:S薄膜

2、,研究了氧和氬等離子體輔助對(duì)電子束蒸發(fā)沉積ZnS:Mn薄膜結(jié)構(gòu)的影響.電子束蒸發(fā)沉積具有成本低廉,引入雜質(zhì)少,方法簡(jiǎn)單,成膜均勻,適于大面積生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),并且等離子體輔助的引入還可部分解決電子束蒸發(fā)固有的原子表面遷移率低的缺點(diǎn),改善薄膜質(zhì)量.為提高ZnO的發(fā)光質(zhì)量,我們采用氧和氬等離子體輔助電子束蒸發(fā)的方法制備了金屬Zn薄膜,在薄膜中形成ZnO的微晶核,然后再對(duì)樣品進(jìn)行熱處理,使ZnO在晶核的基礎(chǔ)上長(zhǎng)大,得到較高質(zhì)量的ZnO多晶薄膜.為研

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