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1、SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，有較高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力以及較寬的禁帶寬度，適合制作高溫、高頻、大功率及抗輻射器件，并因其優(yōu)秀的光電性能，成為光電集成領(lǐng)域的優(yōu)選材料。 本文采用射頻磁控反應(yīng)濺射和高溫相分離技術(shù)作為制備方法，并結(jié)合傅里葉紅外吸收光譜（FTIR）以及光致發(fā)光光譜（PL）等測(cè)試手段，對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性進(jìn)行了分析研究。首先，分別選用乙炔或甲烷作為濺射氣氛中的活性反應(yīng)氣體，探討了制備富
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