PPCPs類污染物氧化處理的電化學(xué)分析研究.pdf

1、PPCPs 類污染物是近年來在環(huán)保領(lǐng)域引起普遍關(guān)注的新型污染物，本文以PPCPs 污染物為研究對(duì)象，通過建立電化學(xué)分析方法用于它們的降解監(jiān)測(cè)研究。
　　 本文首先采用UV/H2O2 光催化法研究了4-氨基安替比林（4-AAP）的降解過程。建立了基于碳納米管（CNTs）修飾電極的電化學(xué)測(cè)定方法并用其對(duì)降解過程進(jìn)行監(jiān)測(cè)。研究了4-AAP在CNTs 修飾電極上的電化學(xué)行為以及支持電解質(zhì)、富集時(shí)間等對(duì)峰電流的影響。在最佳條件下，4-AA

2、P的氧化峰電流與濃度在5.0×10-5-2.0×10-3 mol/L 范圍內(nèi)呈良好線性關(guān)系，其回歸方程為Ip (μA)=15.206+207.7c (mmol/L)，相關(guān)系數(shù)為0.9984，檢出限(S/N=3)為2.6×10-5mol/L。根據(jù)以上電化學(xué)分析方法，考察了4-AAP的UV/H2O2的降解過程中H2O2 投加量以及pH 對(duì)降解速度的影響。
　　 采用UV/Fenton 技術(shù)對(duì)安替比林（AP）進(jìn)行光催化降解，建立了AP

3、在CNTs 修飾電極上的電分析方法并對(duì)降解過程進(jìn)行監(jiān)測(cè)。研究了AP在CNTs 修飾電極上的電化學(xué)行為，考察了支持電解質(zhì)、富集時(shí)間、掃速等對(duì)峰電流和峰電位的影響，電極反應(yīng)為吸附控制過程。采用循環(huán)伏安法時(shí)，AP的氧化峰電流與濃度在1.0×10-4-2.0×10-3mol/L 范圍內(nèi)呈良好線性關(guān)系；采用差示脈沖伏安時(shí)，AP 氧化峰電流與濃度在8.0×10-6-2.0×10-4 mol/L 范圍內(nèi)呈良好線性關(guān)系。然后用UV/Fenton 技術(shù)對(duì)

4、AP 進(jìn)行光催化降解，并用上述循環(huán)伏安法監(jiān)測(cè)降解過程，分析了H2O2 用量、Fe2+用量和pH 對(duì)AP 降解速率的影響。
　　 制備了一種新型的外磁場(chǎng)固定磁載納米材料修飾電極并將其應(yīng)用于光電催化降解雙氯芬酸鈉。首先以共沉淀法、溶膠-凝膠法合成了TiO2/SiO2/Fe3O4（TSF）納米材料，采用X 射線衍射儀、透射電子顯微鏡和傅里葉紅外光譜儀對(duì)材料進(jìn)行表征。
　　 然后用外磁鐵將TSF納米顆粒固定在石墨電極上，制備了磁

5、載TSF 修飾電極，并測(cè)試了該電極的光電催化活性。用CNTs 修飾電極建立了雙氯芬酸鈉的電化學(xué)分析方法，并研究了不同條件對(duì)雙氯芬酸鈉峰電流的影響，在最佳條件下，雙氯芬酸鈉的氧化峰電流與濃度在1.0×10-6~1.0×10-4mol/L 濃度范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系，其線性回歸方程為Ip (μA)=1.479+138.6c (mmol/L)，相關(guān)系數(shù)為0.9963，檢出限(S/N=3)為1.8×10-7mol/L。對(duì)雙氯芬酸鈉進(jìn)行紫外光降解