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1、近年來,平面螺旋電感越來越多的被人們用于射頻集成電路的設(shè)計(jì)中。隨著集成電路工藝的發(fā)展,CMOS工藝以其低成本、易集成、低功耗等特點(diǎn),成為集成電路的主流工藝。如何在硅基上實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)因素Q和高電感值L平面螺旋電感,成為目前射頻集成電路研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。本文在大量文獻(xiàn)閱讀的基礎(chǔ)上,著眼于當(dāng)今平面螺旋電感對(duì)于結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化存在高Q值和高L值很難同時(shí)獲得的缺陷,提出一種全新的線寬間距交變型平面螺旋電感模型。
本文首先介紹了平面螺旋電感
2、的相關(guān)理論常識(shí),分析了螺旋電感的損耗機(jī)制,為之后電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)打下堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ);其次,本文從結(jié)構(gòu)參數(shù)和工藝參數(shù)兩個(gè)方面入手,對(duì)影響平面螺旋電感性能的因素進(jìn)行了仿真,并提出電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)準(zhǔn)則;然后本文從電感結(jié)構(gòu)參數(shù)著手,結(jié)合電感損耗機(jī)理,自主提出一種新型線寬間距交變結(jié)構(gòu)平面螺旋電感模型,并用HFSS10.0對(duì)新提出的電感模型進(jìn)行了大量的仿真,仿真結(jié)果顯示,本文提出的新型平面螺旋電感Q值較傳統(tǒng)電感提高了11%,L值較傳統(tǒng)電感提高了36%,
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