CMOS射頻集成電路中無(wú)源器件頻變參數(shù)提取的研究.pdf

1、隨著無(wú)線通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，人們對(duì)無(wú)線通信產(chǎn)品在尺寸、速度、功耗、價(jià)格上提出了越來(lái)越高的要求。傳統(tǒng)的微波射頻集成電路都是建立在GaAs工藝上，不過(guò)成本的高居不下嚴(yán)重影響了市場(chǎng)的推廣；近年來(lái)在市場(chǎng)的推動(dòng)下，由于CMOS工藝的成本低、集成度高等優(yōu)勢(shì)，加之工藝和技術(shù)的不斷進(jìn)步，硅基射頻集成電路的研究已成為產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界關(guān)注的熱點(diǎn)。無(wú)源器件作為射頻集成電路中不可缺少的部件，受到越來(lái)越多的關(guān)注。隨著系統(tǒng)工作頻率和系統(tǒng)性能要求的提高，對(duì)于無(wú)源器件的性能

2、和模型精度的要求也越來(lái)越高。 論文主要研究基于CMOS工藝的射頻集成電路中無(wú)源器件的頻變特性，包括片上互連線與片上變壓器的建模與參數(shù)提取。 首先從一般互連傳輸線結(jié)構(gòu)入手，分析了片上互連線的串聯(lián)阻抗與并聯(lián)導(dǎo)納，并且實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了片上互連線在超寬帶范圍內(nèi)的等效電路模型，考慮傳輸線邊緣臨近效應(yīng)對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊懀岢隽诵滦突ミB線結(jié)構(gòu)。此外還研究了片上非對(duì)稱耦合傳輸線的電路模型，提出了相關(guān)改進(jìn)算法并加以推廣。 對(duì)于片上變壓器，