硅基應(yīng)變與弛豫材料的缺陷機理與表征研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、應(yīng)變SiGe和應(yīng)變Si以其相對于體Si的諸多優(yōu)點,成為遵循摩爾定律發(fā)展的新材料技術(shù)。由于SiGe與襯底之間存在較大的晶格失配,所以異質(zhì)外延得到的薄膜往往具有很高的位錯密度,這些位錯極大地限制了器件的性能和可靠性。為了更好的降低和控制穿透位錯密度,對硅基應(yīng)變與弛豫材料缺陷機理及表征方法的研究顯得尤為重要。
　　 論文深入研究了硅基應(yīng)變與弛豫材料中各種缺陷機理,重點對其中位錯缺陷的類型、形成機理、特征、行為、成核及增殖機制進行了研究

2、,同時還對缺陷的觀察及位錯密度的表征方法進行了重點研究。
　　 本文中硅基應(yīng)變與弛豫材料由RPCVD設(shè)備生長,使用透射電子顯微鏡對材料內(nèi)部的缺陷及行為進行研究分析,通過腐蝕法對位錯密度進行表征研究。實驗結(jié)果表明,Ge組分梯度漸變緩沖層工藝和低溫Si緩沖層工藝能大大降低穿透位錯的密度。
　　 通過改變腐蝕液配方及腐蝕時間等實驗對表征方法進行了研究,提出了使用梯度腐蝕法測量位錯密度。通過使用梯度腐蝕法,可以在同一個樣片上進行

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