浮空場板AlGaN-GaN HEMTs器件研究.pdf

1、創(chuàng)新性聲明本人聲明所呈交的論文是我個人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標注和致謝中所羅列的內容以外，論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學或其它教育機構的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。申請學位論文與資料若有不實之處，本人承擔一切相關責任。本人簽名：日期：p，2、久關于論文使用授權的說明本

2、人完全了解西安電子科技大學有關保留和使用學位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學位期間論文工作的知識產權單位屬西安電子科技大學和中國科學院微電子研究所。本人保證畢業(yè)離校后，發(fā)表論文或使用論文工作成果時署名單位仍然為西安電子科技大學。學校有權保留送交論文的復印件，允許查閱和借閱論文；學?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨热?，可以采用影印、縮印或其他復制手段保存論文。(保密論文在解密后應遵守此規(guī)定)本人簽名：導師簽名：日期：蘭!圣：墨!蘭日期：協仁∥摘

3、要／／Ylllllll2lll／lI／0lltl／16l／ll!17ll／lll9／t11l／bll／ll／)／tl／AIGaN／GaNHEMTs器件由于其二維電子氣濃度高，飽和速度大，材料的擊穿電場以及大的禁帶寬度使其能夠在較高的溫度下工作，因此它將成為微波大功率器件發(fā)展的方向。但是盡管A1GaN／GaNHEMT器件在微波大功率特性方面取得很大的進步，仍存在需要解決的問題：提高最大輸出功率和保持較高的輸出功率附加效率。通常希望提高擊穿

4、電壓來使器件工作在高壓下，從而得到大的輸出功率。在這個前提前，本文選擇了對能夠提高HEMTs器件擊穿電場的場板結構進行研究。主要進行了如下工作：1對傳統場板結構的參數優(yōu)化規(guī)律進行了深入研究；2從理論上對常規(guī)HEMTs、傳統場板HEMTs以及浮空場板HEMTs原理進行了對比分析，給出了浮空場板結構的仿真優(yōu)化規(guī)律和優(yōu)化參數值，并且成功制造出了直流特性好、擊穿電壓高的浮空場板器件，通過使用浮空場板結構將擊穿電壓由原來的65V提高至313V；3