浮空?qǐng)霭錋lGaN-GaN HEMTs器件研究.pdf

1、創(chuàng)新性聲明本人聲明所呈交的論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。申請(qǐng)學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人承擔(dān)一切相關(guān)責(zé)任。本人簽名：日期：p，2、久關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本

2、人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院微電子研究所。本人保證畢業(yè)離校后，發(fā)表論文或使用論文工作成果時(shí)署名單位仍然為西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)校可以公布論文的全部或部分內(nèi)容，可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存論文。(保密論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定)本人簽名：導(dǎo)師簽名：日期：蘭!圣：墨!蘭日期：協(xié)仁∥摘

3、要／／Ylllllll2lll／lI／0lltl／16l／ll!17ll／lll9／t11l／bll／ll／)／tl／AIGaN／GaNHEMTs器件由于其二維電子氣濃度高，飽和速度大，材料的擊穿電場(chǎng)以及大的禁帶寬度使其能夠在較高的溫度下工作，因此它將成為微波大功率器件發(fā)展的方向。但是盡管A1GaN／GaNHEMT器件在微波大功率特性方面取得很大的進(jìn)步，仍存在需要解決的問題：提高最大輸出功率和保持較高的輸出功率附加效率。通常希望提高擊穿

4、電壓來使器件工作在高壓下，從而得到大的輸出功率。在這個(gè)前提前，本文選擇了對(duì)能夠提高HEMTs器件擊穿電場(chǎng)的場(chǎng)板結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究。主要進(jìn)行了如下工作：1對(duì)傳統(tǒng)場(chǎng)板結(jié)構(gòu)的參數(shù)優(yōu)化規(guī)律進(jìn)行了深入研究；2從理論上對(duì)常規(guī)HEMTs、傳統(tǒng)場(chǎng)板HEMTs以及浮空?qǐng)霭錒EMTs原理進(jìn)行了對(duì)比分析，給出了浮空?qǐng)霭褰Y(jié)構(gòu)的仿真優(yōu)化規(guī)律和優(yōu)化參數(shù)值，并且成功制造出了直流特性好、擊穿電壓高的浮空?qǐng)霭迤骷?，通過使用浮空?qǐng)霭褰Y(jié)構(gòu)將擊穿電壓由原來的65V提高至313V；3