基于能帶調(diào)制技術(shù)的AlGaN-GaN功率器件研究.pdf

1、作為寬禁帶半導體器件，AlGaN/GaN基功率器件在功率開關(guān)與功率整流中，以其耐高壓、低導通電阻等特性而成為國際研究熱點之一。其中，異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFET）溝道中負離子注入在可以調(diào)制能帶分布的同時，也能夠顯著改變異質(zhì)結(jié)界面處的自由電子濃度。因此，基于該方法的能帶調(diào)制技術(shù)將可以有效的為修正器件閾值電壓，減小柵極漏電與制作結(jié)終端區(qū)域提供理論依據(jù)。
　　本論文正是針對以上所述，以能帶調(diào)制技術(shù)基礎(chǔ)上的功率開關(guān)器件為研究對象，對負離子

2、注入技術(shù)形成的降低表面電場區(qū)（RESURF）的設(shè)計優(yōu)化，能帶調(diào)制模型的建立以及因能帶調(diào)制而減小的柵極正向泄露電流進行了詳盡的討論與研究。主要內(nèi)容為：
　　1.驗證負離子注入技術(shù)在功率器件中輔助耐壓的工作機理。首先借助仿真分析手段得到器件仿真優(yōu)化設(shè)計結(jié)構(gòu)，包括在AlGaN/GaN功率HFET的漏極側(cè)柵極邊緣引入負離子以擴展結(jié)終端。負離子引入方式包括不同摻雜劑量的均勻摻雜以及不同的結(jié)終端擴展長度，以形成電場分布均勻化，并以實驗驗證。<