

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、CIaSSifiedlndex:04845UDC:530SouthwestUniversityofS。nceandTechno10gYCIenCeandlMasterDegreeTheSiSSynthesiSandResearch‘onOptiCSandEIectriCityPropertiesofAmorphousHydrogenatedCarbonNitrideOxidateThinFiImGrade:2010Candidate:C
2、henFeiAcademicDegroeAppIiedfor:MasterSpeciaIitY:MateriaISScienceSuperviSOr:ReSearchFeIIOWWeidongWuMar10。2013西南科技大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文第1頁(yè)摘要非晶碳氮薄膜是一種新型功能材料,具有高硬度,良好的光學(xué)性能,較低的摩擦系數(shù)和穩(wěn)定的化學(xué)性能等其他的優(yōu)異性能,在諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文通過(guò)射頻電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積,以高
3、純甲烷、氮?dú)?、二氧化碳和氫氣作為原料氣體,改變放電氣壓、放電功率、反應(yīng)氣體中N2流量和C02流量四個(gè)沉積參數(shù),在硅片和石英片上,制備出非晶的CHON薄膜。通過(guò)一系列測(cè)試手段和方法,研究了沉積參數(shù)對(duì)薄膜的生長(zhǎng)速率、表面形貌、薄膜內(nèi)部化學(xué)鍵以及半定量元素比、光學(xué)性能和電學(xué)性能的影響。本文首先研究了各沉積參數(shù)對(duì)薄膜沉積速率的影響。沉積速率隨放電功率增加而增加,放電功率為200W時(shí),達(dá)到最大值;隨N2流量增加而逐漸增加,當(dāng)N2流量在10~18s
4、ccm時(shí)有較高的沉積速率,過(guò)分增大N2流量時(shí),沉積速率反而略微下降;當(dāng)放電氣壓增加時(shí),沉積速率先增加后減小,放電氣壓為10Pa時(shí),有最大沉積速率;在較低C02流量(12sccm)時(shí),制備出的薄膜沉積速率較高,C02流量進(jìn)一步增加時(shí),沉積速率迅速減小。然后通過(guò)AFM測(cè)試研究了各沉積參數(shù)對(duì)薄膜表面形貌的影響,結(jié)果表明放電氣壓對(duì)形貌和粗糙度影響不是很大。FTIR測(cè)試結(jié)果表明薄膜中主要存在C=N、C=O、C蘭N以及CH等其他化學(xué)鍵。XPS測(cè)試結(jié)
5、果表明薄膜內(nèi)部存在sp2CN雜化鍵結(jié)構(gòu)和sp3CN雜化鍵結(jié)構(gòu),隨N2流量增多,薄膜的sp3CN雜化向sp2CN雜化轉(zhuǎn)化,且N原子含量增多;當(dāng)C02增多時(shí),O原子含量增多,而C原子含量出現(xiàn)復(fù)雜的變化趨勢(shì)。最后還對(duì)薄膜的光學(xué)性能和電學(xué)性能做了研究,通過(guò)紫外可見(jiàn)近紅外光分析表明,薄膜在紫外光區(qū)(240390nm)有較強(qiáng)的吸收,在紅外光區(qū)(8002400rim)有較高的透射率,達(dá)到80%以上。薄膜的光學(xué)帶隙隨放電功率、放電氣壓以及N2流量的增加
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SnS、CdS薄膜的制備及光電性能的研究.pdf
- ZnO:In薄膜的制備及其光電性能研究.pdf
- ZnMgO薄膜及其異質(zhì)結(jié)的制備及光電性能研究.pdf
- NiO基半導(dǎo)體光電薄膜的制備及性能研究.pdf
- GZO薄膜的制備及其光電性能研究.pdf
- znoin薄膜的制備及其光電性能研究
- 氮化鈦薄膜的制備與光電性能研究.pdf
- FeS-,2-薄膜制備及光電性能.pdf
- CdSe-TiO2復(fù)合薄膜的制備及光電性能研究.pdf
- 雙金屬摻雜ZnO薄膜的制備及光電性能.pdf
- 氧化釩薄膜的制備及其光電性能研究.pdf
- ZnO薄膜的制備及光電特性研究.pdf
- AlxZn1-xO薄膜的制備及光電性能的研究.pdf
- PLD法制備AZO薄膜及其光電性能的研究.pdf
- 非極性ZnO薄膜的制備及其光電性能研究.pdf
- ZnO薄膜及其光電器件的室溫制備及性能研究.pdf
- 紅外透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備及光電性能研究.pdf
- 磁控濺射法制備ITO薄膜的結(jié)構(gòu)及光電性能研究.pdf
- 反式液晶-聚合物分散薄膜的制備及光電性能研究.pdf
- Sol-gel法摻雜ZnO薄膜的制備及光電性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論